Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 9.4 A, 700 V Enhancement, 3-Pin SOT-223

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 rol van 3000 eenheden)*

€ 600,00

(excl. BTW)

€ 720,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 3.000 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
3000 - 3000€ 0,20€ 600,00
6000 +€ 0,19€ 570,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
222-4686
Fabrikantnummer:
IPN70R1K2P7SATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

9.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

700V

Series

CoolMOS

Package Type

SOT-223

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.2Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

16 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

4.8nC

Maximum Power Dissipation Pd

6.3W

Minimum Operating Temperature

-40°C

Forward Voltage Vf

0.9V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Width

3.7 mm

Length

6.7mm

Height

1.8mm

Automotive Standard

No

The Infineon design of Cool MOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. The latest Cool MOS™ P7 is an optimized platform tailored to target cost sensitive applications in consumer markets such as charger, adapter, lighting, TV, etc.

Product validation acc. JEDEC Standard

Low switching losses (Eoss) Integrated ESD protection diode

Excellent thermal behaviour

Gerelateerde Links