Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 77.5 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IPW60R041P6FKSA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 11,07

(excl. BTW)

€ 13,39

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 359 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 9€ 11,07
10 - 24€ 10,52
25 - 49€ 10,07
50 - 99€ 9,63
100 +€ 8,96

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
222-4721
Fabrikantnummer:
IPW60R041P6FKSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

77.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

CoolMOS

Package Type

TO-247

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

41mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

481W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

170nC

Forward Voltage Vf

0.9V

Standards/Approvals

No

Length

16.13mm

Width

21.1 mm

Height

5.21mm

Automotive Standard

No

The Infineon design of Cool MOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. 600V Cool MOS™ C7 series combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The 600V C7 is the first technology ever with RDS(on)*A below 1Ohm*mm².

Pb-free lead plating; RoHS compliant

Superior thermal resistance 100% avalanche tested

Halogen-free according to IEC61249-2-23

Gerelateerde Links