Infineon IPB60R Type N-Channel MOSFET, 22 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB60R099C7ATMA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 10,49

(excl. BTW)

€ 12,692

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 3.050 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 8€ 5,245€ 10,49
10 - 18€ 4,355€ 8,71
20 - 48€ 4,085€ 8,17
50 - 98€ 3,82€ 7,64
100 +€ 3,515€ 7,03

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
222-4893
Fabrikantnummer:
IPB60R099C7ATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

22A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

TO-263

Series

IPB60R

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

99mΩ

Channel Mode

Enhancement

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon 600V CoolMOS™ C7 superjunction (SJ) MOSFET series offers a ∼50% reduction in turn-off losses (E oss ) compared to the CoolMOS™ CP, offering an outstanding level of performance in PFC, TTF and other hard-switching topologies. The IPL60R185C7 is also a perfect match for high-power-density charger designs.

Reduced switching loss parameters such as Q G, C oss, E oss

Best-in-class figure of merit Q G*R DS(on)

Increased switching frequency

Best R (on)*A in the world

Rugged body diode

Gerelateerde Links