Infineon IPL60R Type N-Channel MOSFET, 17 A, 600 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK IPL60R125C7AUMA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 8,47

(excl. BTW)

€ 10,248

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 480 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 18€ 4,235€ 8,47
20 - 48€ 3,85€ 7,70
50 - 98€ 3,605€ 7,21
100 - 198€ 3,335€ 6,67
200 +€ 3,085€ 6,17

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
222-4914
Fabrikantnummer:
IPL60R125C7AUMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

17A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

ThinPAK

Series

IPL60R

Mount Type

Surface

Pin Count

5

Maximum Drain Source Resistance Rds

120mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

34nC

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Power Dissipation Pd

103W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

0.9V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1.1mm

Standards/Approvals

No

Width

8.1 mm

Length

8.1mm

Automotive Standard

No

The Infineon 600V CoolMOS™ C7 superjunction (SJ) MOSFET series offers a ∼50% reduction in turn-off losses (E oss ) compared to the CoolMOS™ CP, offering an outstanding level of performance in PFC, TTF and other hard-switching topologies. The IPL60R185C7 is also a perfect match for high-power-density charger designs.

Reduced switching loss parameters such as Q G, C oss, E oss

Best-in-class figure of merit Q G*R DS(on)

Increased switching frequency

Best R (on)*A in the world

Rugged body diode

Gerelateerde Links