Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 150 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SUM90100E-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 8,78

(excl. BTW)

€ 10,62

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 618 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 18€ 4,39€ 8,78
20 - 48€ 3,95€ 7,90
50 - 98€ 3,73€ 7,46
100 - 198€ 3,505€ 7,01
200 +€ 3,25€ 6,50

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
228-2987
Fabrikantnummer:
SUM90100E-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

150A

Maximum Drain Source Voltage Vds

200V

Series

TrenchFET

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

11.4mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

375W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

72.8nC

Forward Voltage Vf

0.8V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay N-Channel 200-V (D-S) MOSFET.

100 % Rg and UIS tested

Gerelateerde Links