Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 50 A, 80 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD50N08S413ATMA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 15 eenheden)*

€ 15,525

(excl. BTW)

€ 18,78

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 9.900 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
15 - 60€ 1,035€ 15,53
75 - 135€ 0,984€ 14,76
150 - 360€ 0,943€ 14,15
375 - 735€ 0,901€ 13,52
750 +€ 0,839€ 12,59

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
229-1833
Fabrikantnummer:
IPD50N08S413ATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

50A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

TO-252

Series

IPD

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

13.2mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

72W

Forward Voltage Vf

1.3V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

19nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

2.3mm

Width

6.22 mm

Standards/Approvals

No

Length

6.5mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon n channel MOSFET has 175°C operating temperature and 100 percent avalanche tested.

It is RoHS compliant and AEC Q101 qualified

Gerelateerde Links