Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET, 66 A, 80 V, 8-Pin SO-8

Subtotaal (1 rol van 5000 eenheden)*

€ 2.435,00

(excl. BTW)

€ 2.945,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 25 mei 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
5000 +€ 0,487€ 2.435,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
232-6748
Fabrikantnummer:
ISC0602NLSATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

66A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

SO-8

Series

OptiMOS 5

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

9.5mΩ

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

22nC

Maximum Power Dissipation Pd

60W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Height

5.35mm

Width

1.2 mm

Length

6.1mm

Automotive Standard

No

The Infineon's OptiMOS PD power MOSFET 80 V, are designed targeting USB-PD and adapter applications. It's SuperSO8 package offers fast ramp-up and optimized lead times. OptiMOS low-voltage MOSFETs for power delivery enable designs with less parts leading to BOM cost reduction. OptiMOS PD features quality products in compact, lightweight packages.

Logic level availability

Excellent thermal behaviour

100% avalanche tested

Gerelateerde Links