STMicroelectronics STHU36N Type N-Channel MOSFET, 29 A, 600 V, 7-Pin HU3PAK STHU36N60DM6AG

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 3,60

(excl. BTW)

€ 4,36

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 560 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 9€ 3,60
10 - 99€ 3,50
100 - 249€ 3,41
250 - 499€ 3,32
500 +€ 3,24

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
234-8898
Fabrikantnummer:
STHU36N60DM6AG
Fabrikant:
STMicroelectronics
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

STMicroelectronics

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

29A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

STHU36N

Package Type

HU3PAK

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

99mΩ

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

46nC

Maximum Power Dissipation Pd

210W

Forward Voltage Vf

1.6V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

The STMicroelectronics high-voltage N-channel power MOSFET is part of the MDmesh DM6 fast recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviours available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

AEC-Q101 qualified

Fast-recovery body diode

Lower RDS(on) per area vs previous generation

Low gate charge, input capacitance and resistance

100% avalanche tested

Gerelateerde Links