Infineon BSG0810NDI 2 Type N-Channel MOSFET, 50 A, 25 V, 8-Pin TISON-8 BSG0810NDIATMA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 5,64

(excl. BTW)

€ 6,82

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 25 mei 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 18€ 2,82€ 5,64
20 - 48€ 2,54€ 5,08
50 - 98€ 2,365€ 4,73
100 - 198€ 2,20€ 4,40
200 +€ 2,03€ 4,06

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
242-0301
Fabrikantnummer:
BSG0810NDIATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

50A

Maximum Drain Source Voltage Vds

25V

Series

BSG0810NDI

Package Type

TISON-8

Pin Count

8

Maximum Power Dissipation Pd

6.25W

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±16 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

8.4nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC1

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

The Infineon Power Block is a dual asymmetric N-channel OptiMOS 5 MOSFET. It is monolithic integrated Schottky like diode.

Halogen-free according to IEC61249-2-21

Pb-free lead plating and RoHS compliant

Gerelateerde Links