Infineon ISP Type P-Channel MOSFET, 2.8 A, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 ISP12DP06NMXTSA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 4,40

(excl. BTW)

€ 5,30

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 90 stuk(s) vanaf 29 december 2025
  • Plus verzending 985 stuk(s) vanaf 05 januari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 45€ 0,88€ 4,40
50 - 120€ 0,782€ 3,91
125 - 245€ 0,738€ 3,69
250 - 495€ 0,686€ 3,43
500 +€ 0,632€ 3,16

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
243-9271
Fabrikantnummer:
ISP12DP06NMXTSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

2.8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

ISP

Package Type

SOT-223

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.7mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon P-Channel small signal transistor have Pb-free lead plating. The drain current and drain-source voltage of MOSFET is -2.8 A and -60V respectively. It has very low resistance value. The operating temperature is ranges from -55 °C to 150 °C.

Surface Mount technology

Logic level availability

Easy interface to Microcontroller Unit (MCU)

Fast switching

avalanche ruggedness

Gerelateerde Links