Infineon ISP Type P-Channel MOSFET, 1.9 A, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 ISP25DP06NMXTSA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 0,77

(excl. BTW)

€ 0,93

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Laatste voorraad RS
  • Laatste 235 stuk(s), klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 45€ 0,154€ 0,77
50 - 120€ 0,126€ 0,63
125 - 245€ 0,118€ 0,59
250 - 495€ 0,11€ 0,55
500 +€ 0,102€ 0,51

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
243-9275
Fabrikantnummer:
ISP25DP06NMXTSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

1.9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

ISP

Package Type

SOT-223

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.7mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Forward Voltage Vf

1.1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon P-Channel small signal transistor have Pb-free lead plating. The drain current and drain-source voltage of MOSFET is -1.9 A and -60V respectively. It has very low resistance value. The operating temperature is ranges from -55 °C to 150 °C.

Surface Mount technology

Logic level availability

Easy interface to Microcontroller Unit (MCU)

Fast switching

avalanche ruggedness

Gerelateerde Links