Infineon ISS Type P-Channel MOSFET, 3 A, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 ISS17EP06LMXTSA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 0,36

(excl. BTW)

€ 0,44

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Laatste voorraad RS
  • Laatste 1.820 stuk(s), klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 - 90€ 0,036€ 0,36
100 - 240€ 0,023€ 0,23
250 - 490€ 0,021€ 0,21
500 - 990€ 0,02€ 0,20
1000 +€ 0,018€ 0,18

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
244-2275
Fabrikantnummer:
ISS17EP06LMXTSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

ISS

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

3mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon P-Channel Power MOSFET offer design flexibility and ease of handling to meet the highest performance requirements which include the -12V range of products that are ideally suited for battery protection, reverse polarity protection, linear battery chargers, load switched, DC-DC converters, and low voltage drive applications.

P-Channel

Low On-resistance RDS(on)

100% Avalanche tested

Logic level or normal level

Enhancement mode

Pb-free lead plating; RoHS compliant

Halogen-free according to IEC61249-2-21

Gerelateerde Links