DiodesZetex 2 Type N-Channel MOSFET, 100 V Enhancement, 6-Pin UDFN-2020 DMN10H6D2LFDB-7

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 25 eenheden)*

€ 6,55

(excl. BTW)

€ 7,925

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • 2.925 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
25 - 25€ 0,262€ 6,55
50 - 75€ 0,257€ 6,43
100 - 225€ 0,19€ 4,75
250 - 975€ 0,183€ 4,58
1000 +€ 0,18€ 4,50

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
246-7507
Fabrikantnummer:
DMN10H6D2LFDB-7
Fabrikant:
DiodesZetex
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

DiodesZetex

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

UDFN-2020

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

10Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

1.2nC

Maximum Power Dissipation Pd

0.7W

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

The DiodesZetex makes an N-channel enhancement mode MOSFET, designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. It is a green device and, totally Lead, halogen and Antimony free. This MOSFET comes in U-DFN2020-6 packaging. It offers fast switching and high efficiency. It offers an ESD protected gate (up to 1kV).

Maximum drain to source voltage is 100 V Maximum gate to source voltage is ±20 V It offers a low gate threshold voltage It provides a low input capacitance

Gerelateerde Links