DiodesZetex Type N-Channel MOSFET, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerDI5060-8 DMT6011LPDW-13

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 25 eenheden)*

€ 17,35

(excl. BTW)

€ 21,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 2.475 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
25 - 25€ 0,694€ 17,35
50 - 75€ 0,681€ 17,03
100 - 225€ 0,49€ 12,25
250 +€ 0,478€ 11,95

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
246-7555
Fabrikantnummer:
DMT6011LPDW-13
Fabrikant:
DiodesZetex
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

DiodesZetex

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

PowerDI5060-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.022Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

2.5W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

22.2nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The DiodesZetex makes an N-channel enhancement mode MOSFET, designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. It is a green device and, totally Lead, halogen and Antimony free. This MOSFET comes in powerDI5060-8 packaging. It offers fast switching and high efficiency. Its 100% unclamped inductive switching ensures more reliable and robust end application. It has working temperature range of -55°C to +150°C.

Maximum drain to source voltage is 20 V and maximum gate to source voltage is ±12 V It offers low on-resistance It has low gate threshold voltage It offers an ESD protected gate

Gerelateerde Links