onsemi NTH Type N-Channel MOSFET, 58 A, 1200 V Enhancement, 3-Pin TO-247

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 tube van 30 eenheden)*

€ 161,64

(excl. BTW)

€ 195,57

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 630 stuk(s) vanaf 30 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per tube*
30 +€ 5,388€ 161,64

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
248-5819
Fabrikantnummer:
NTHL060N065SC1
Fabrikant:
onsemi
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

onsemi

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

58A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Series

NTH

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

22mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

117W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

74nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

22 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 44 mohm, 650 V, M2, TO-247-3L


The ON Semiconductor Silicon Carbide (SiC) MOSFET is a N channel MOSFET with 650 V drain to source voltage and 176 W power dissipation, TO247-3L packaging and this device is Halide free and RoHS compliant with exemption 7a, Pb−Free 2LI.

Ultra low gate charge 74 nC

Low capacitance 133 pF

100 percent avalanche tested

Temperature 175°C

RDS(on) 44 mohm

Gerelateerde Links