Infineon BSR Type N-Channel MOSFET, 3.7 A, 40 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 BSR802NL6327HTSA1

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 0,60

(excl. BTW)

€ 0,75

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 1.095 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 +€ 0,12€ 0,60

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
250-0540
Fabrikantnummer:
BSR802NL6327HTSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

3.7A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

BSR

Package Type

SOT-223

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.4mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Distrelec Product Id

304-40-497

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon makes this Optimos 2 Small-Signal-Transistor. It is a P-channel, Enhancement mode transistor widely used in high-switching applications. It is avalanche rated and halogen-free.

Logic level (4.5V rated)

Avalanche rated and 100% lead-free

Maximum power dissipation is 360 mW

Gerelateerde Links