Infineon BSR Type N-Channel MOSFET, 3.7 A, 40 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 BSR802NL6327HTSA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 2,68

(excl. BTW)

€ 3,245

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Informatie over voorraden is momenteel niet toegankelijk - Controleer het later nog eens opnieuw
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 45€ 0,536€ 2,68
50 - 120€ 0,458€ 2,29
125 - 245€ 0,432€ 2,16
250 - 495€ 0,40€ 2,00
500 +€ 0,374€ 1,87

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
250-0540
Artikelnummer Distrelec:
304-40-497
Fabrikantnummer:
BSR802NL6327HTSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

3.7A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

BSR

Package Type

SOT-223

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.4mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon makes this Optimos 2 Small-Signal-Transistor. It is a P-channel, Enhancement mode transistor widely used in high-switching applications. It is avalanche rated and halogen-free.

Logic level (4.5V rated)

Avalanche rated and 100% lead-free

Maximum power dissipation is 360 mW

Gerelateerde Links