Fabrikantnummer

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, -9 A, 20 V, 8-Pin SO-8 IRF7324TRPBF

RS-stocknr.:: 257-9303
Fabrikantnummer:: IRF7324TRPBF
Fabrikant:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, -9 A, 20 V, 8-Pin SO-8 IRF7324TRPBF

Bulkkorting beschikbaar

Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 5,49

(excl. BTW)

€ 6,645

(incl. BTW)

GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 90,00

Laatste voorraad RS

Laatste 1.080 stuk(s), klaar voor verzending vanaf een andere locatie

Aantal stuks	Per stuk	Per verpakking*
5 - 45	€ 1,098	€ 5,49
50 - 120	€ 0,966	€ 4,83
125 - 245	€ 0,90	€ 4,50
250 - 495	€ 0,832	€ 4,16
500 +	€ 0,782	€ 3,91

*prijsindicatie

RS-stocknr.:: 257-9303
Fabrikantnummer:: IRF7324TRPBF
Fabrikant:: Infineon

Specificaties

Datasheets

Wetgeving en compliance

Productomschrijving

Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.

Alles selecteren	Attribuut	Waarde
	Merk	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	-9A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	20V
	Package Type	SO-8
	Series	HEXFET
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	18mΩ
	Maximum Power Dissipation Pd	2W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	12 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	-1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	42nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	5mm
	Width	4 mm
	Height	1.75mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	Alles selecteren
	Merk Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id -9A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 20V
	Package Type SO-8
	Series HEXFET
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 18mΩ
	Maximum Power Dissipation Pd 2W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 12 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf -1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 42nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 5mm
	Width 4 mm
	Height 1.75mm
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - IRF7324TRPBF

The Infineon IRF series is the -20V dual p channel HEXFET power mosfet in a SO 8 package.

Planar cell structure for wide SOA

Optimized for broadest availability from distribution partners

Product qualification according to JEDEC standard

Silicon optimized for applications switching below 100 kHz

Industry standard surface mount power package

Capable of being wave soldered

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.