Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 3.7 A, 200 V, 8-Pin SO-8

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 4000 eenheden)*

€ 2.160,00

(excl. BTW)

€ 2.600,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 01 april 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
4000 +€ 0,54€ 2.160,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
257-9319
Fabrikantnummer:
IRF7820TRPBF
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

3.7A

Maximum Drain Source Voltage Vds

200V

Series

HEXFET

Package Type

SO-8

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

78mΩ

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.3V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

29nC

Maximum Power Dissipation Pd

2.5W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

330mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon IRF series is the 200V single n channel HEXFET power mosfet in a SO 8 package.

Optimized for broadest availability from distribution partners

Product qualification according to JEDEC standard

Normal level is Optimized for 10 V gate drive voltage

Industry standard surface mount package

Capable of being wave soldered


Gerelateerde Links