Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 211 A, 650 V N TO-263

Subtotaal (1 rol van 1000 eenheden)*

€ 3.178,00

(excl. BTW)

€ 3.845,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 11 november 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
1000 +€ 3,178€ 3.178,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
258-3826
Fabrikantnummer:
IPBE65R050CFD7AATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

211A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

TO-263

Series

iPB

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

40.7mΩ

Channel Mode

N

Forward Voltage Vf

1.2V

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon CoolMOS C3A technology was designed to meet the growing demands of higher system voltages in the area of electric vehicles, such as PHEVs and BEV.

Best-in-class quality and reliability

Higher breakdown voltage

High peak current capability

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.