Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, 70 A, 30 V N TO-252 IPD068P03L3GATMA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 3,64

(excl. BTW)

€ 4,405

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 1.645 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 45€ 0,728€ 3,64
50 - 120€ 0,662€ 3,31
125 - 245€ 0,618€ 3,09
250 - 495€ 0,58€ 2,90
500 +€ 0,538€ 2,69

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
258-3831
Fabrikantnummer:
IPD068P03L3GATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

70A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

TO-252

Series

IPD

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.6mΩ

Channel Mode

N

Forward Voltage Vf

1.2V

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon P-channel enhancement mode field-effect transistor is highly innovative OptiMOS families include p-channel power MOSFETs. These products consistently meet the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as on-state resistance and figure of merit characteristics.

Enhancement mode

Logic level

Avalanche rated

Fast switching

Dv/dt rated


Gerelateerde Links