Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 45 A, 75 V Enhancement, 3-Pin TO-252

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 2000 eenheden)*

€ 918,00

(excl. BTW)

€ 1.110,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 4.000 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
2000 +€ 0,459€ 918,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
262-6767
Fabrikantnummer:
IRFR2607ZTRPBF
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

45A

Maximum Drain Source Voltage Vds

75V

Series

HEXFET

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

22mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

110W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

34nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. This design has additional features such as 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating.

Ultra low on-resistance

Repetitive avalanche allowed up to Tjmax

Gerelateerde Links