Renesas Electronics NP100P06PDG Type P-Channel MOSFET, 100 A, 60 V P, 4-Pin MP-25ZP (TO-263) NP100P06PDG-E1-AY

Bulkkorting beschikbaar
Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 12,58

(excl. BTW)

€ 15,22

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 15 februari 2027
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 8€ 6,29€ 12,58
10 - 48€ 5,67€ 11,34
50 - 98€ 5,55€ 11,10
100 - 248€ 4,645€ 9,29
250 +€ 4,555€ 9,11

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
264-1239
Fabrikantnummer:
NP100P06PDG-E1-AY
Fabrikant:
Renesas Electronics
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Renesas Electronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

100A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

MP-25ZP (TO-263)

Series

NP100P06PDG

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

5.1mΩ

Channel Mode

P

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Power Dissipation Pd

200W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

300nC

Forward Voltage Vf

1.5V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

AEC-Q101

Automotive Standard

AEC-Q101

Land van herkomst:
MY
The Renesas Electronics provides a low voltage power with P-channel type MOS Field Effect Transistor which is designed for high current switching applications. It consist of a 100 A maximum drain current.

Maximum drain source voltage is 60 V

Mounting type is surface mount

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.