Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 50 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 5,07

(excl. BTW)

€ 6,135

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 2.360 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 45€ 1,014€ 5,07
50 - 95€ 0,778€ 3,89
100 - 245€ 0,72€ 3,60
250 - 995€ 0,71€ 3,55
1000 +€ 0,698€ 3,49

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
273-3004
Fabrikantnummer:
IPD079N06L3GATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

50A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

IPD

Package Type

TO-252

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

7.9mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

50nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Height

6.223mm

Length

10.48mm

Width

6.731 mm

Automotive Standard

No

The Infineon power MOSFET is a perfect choice for synchronous rectification in switched mode power supplies such as those found in servers and desktops and tablet charger. In addition these devices can be used for a broad range of industrial applications

Highest system efficiency

Less paralleling required

Increased power density

Gerelateerde Links