Infineon IPN Type N-Channel MOSFET, 3.6 A, 650 V Enhancement, 3-Pin PG-SOT223 IPN60R1K5PFD7SATMA1

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 3000 eenheden)*

€ 711,00

(excl. BTW)

€ 861,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 24 maart 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
3000 +€ 0,237€ 711,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
273-3015
Fabrikantnummer:
IPN60R1K5PFD7SATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

3.6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

IPN

Package Type

PG-SOT223

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.5Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

6W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

4.6nC

Minimum Operating Temperature

-40°C

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

JEDEC Standard

Automotive Standard

No

The Infineon 600V cool MOS PFD7 super junction MOSFET complements the cool MOS 7 offering for consumer applications.

BOM cost reduction and easy manufacturing

Robustness and reliability

Gerelateerde Links