Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 183 A, 75 V Enhancement, 3-Pin

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 4,97

(excl. BTW)

€ 6,014

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 798 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 8€ 2,485€ 4,97
10 - 48€ 2,255€ 4,51
50 - 98€ 1,905€ 3,81
100 - 248€ 1,775€ 3,55
250 +€ 1,745€ 3,49

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
273-3032
Fabrikantnummer:
IRFS7734TRLPBF
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

183A

Maximum Drain Source Voltage Vds

75V

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

270nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

290W

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS, Lead-Free

The Infineon single N-channel HEXFET power MOSFET in a D2-Pak package is optimized for broadest availability from distribution partners.

Product qualification according to JEDEC standard

Softer body diode compared to previous silicon generation

Industry standard surface-mount power package

Gerelateerde Links