Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 106 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8FL BSZ0902NSATMA1

Subtotaal (1 rol van 5000 eenheden)*

€ 1.640,00

(excl. BTW)

€ 1.985,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 09 juni 2027
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
5000 +€ 0,328€ 1.640,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
273-5247
Fabrikantnummer:
BSZ0902NSATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

106A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

PG-TSDSON-8FL

Series

OptiMOS

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

26nC

Maximum Power Dissipation Pd

48W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56

Automotive Standard

No

The Infineon MOSFET is a N channel power MOSFET. This MOSFET has an excellent gate charge. It is qualified according to JEDEC for target applications and it is 100 percent avalanche tested. It is a optimized for high performance buck converter.

Halogen free

RoHS compliant

Pb free lead plating

Very low on resistance

Superior thermal resistance

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.