Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 106 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8FL BSZ0902NSATMA1

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 5000 eenheden)*

€ 2.185,00

(excl. BTW)

€ 2.645,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 25 februari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
5000 +€ 0,437€ 2.185,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
273-5247
Fabrikantnummer:
BSZ0902NSATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

106A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

PG-TSDSON-8FL

Series

OptiMOS

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

48W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

26nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56

Automotive Standard

No

The Infineon MOSFET is a N channel power MOSFET. This MOSFET has an excellent gate charge. It is qualified according to JEDEC for target applications and it is 100 percent avalanche tested. It is a optimized for high performance buck converter.

Halogen free

RoHS compliant

Pb free lead plating

Very low on resistance

Superior thermal resistance

Gerelateerde Links