DiodesZetex Type P-Channel MOSFET, 280 mA, 60 V Enhancement, 3-Pin E-Line ZVP2106A
- RS-stocknr.:
- 669-7596
- Fabrikantnummer:
- ZVP2106A
- Fabrikant:
- DiodesZetex
Bulkkorting beschikbaar
Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*
€ 6,87
(excl. BTW)
€ 8,31
(incl. BTW)
GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 75,00
Op voorraad
- 210 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
- Plus verzending 14.960 stuk(s) vanaf 02 januari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks | Per stuk | Per verpakking* |
|---|---|---|
| 10 - 30 | € 0,687 | € 6,87 |
| 40 - 190 | € 0,62 | € 6,20 |
| 200 - 990 | € 0,55 | € 5,50 |
| 1000 - 1990 | € 0,479 | € 4,79 |
| 2000 + | € 0,412 | € 4,12 |
*prijsindicatie
- RS-stocknr.:
- 669-7596
- Fabrikantnummer:
- ZVP2106A
- Fabrikant:
- DiodesZetex
Specificaties
Datasheets
Wetgeving en compliance
Productomschrijving
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren | Attribuut | Waarde |
|---|---|---|
| Merk | DiodesZetex | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 280mA | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | E-Line | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 5Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 2.2nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 700mW | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 4.77mm | |
| Height | 4.01mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 2.41 mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Alles selecteren | ||
|---|---|---|
Merk DiodesZetex | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 280mA | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type E-Line | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 5Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 2.2nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 700mW | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 4.77mm | ||
Height 4.01mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 2.41 mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- Land van herkomst:
- CN
P-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Gerelateerde Links
- Diodes Inc P-Channel MOSFET 60 V, 3-Pin E-Line ZVP2106A
- Diodes Inc P-Channel MOSFET 60 V, 3-Pin E-Line ZVP3306A
- Diodes Inc P-Channel MOSFET 60 V, 3-Pin TO-92 ZVP2106ASTZ
- Diodes Inc Dual N/P-Channel MOSFET 620 mA 6-Pin SOT-563 DMG1029SV-7
- Diodes Inc P-Channel MOSFET 45 V, 3-Pin E-Line BS250P
- Diodes Inc P-Channel MOSFET 240 V, 3-Pin E-Line ZVP4424A
- Diodes Inc P-Channel MOSFET 100 V, 3-Pin E-Line ZVP2110A
- Diodes Inc N-Channel MOSFET 60 V, 3-Pin E-Line VN10LP
