DiodesZetex ZXMP6A17G Type P-Channel MOSFET, 4.3 A, 60 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 ZXMP6A17GTA
- RS-stocknr.:
- 708-2462
- Fabrikantnummer:
- ZXMP6A17GTA
- Fabrikant:
- DiodesZetex
Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*
€ 4,47
(excl. BTW)
€ 5,41
(incl. BTW)
GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 75,00
Op voorraad
- 80 stuk(s) klaar voor verzending
- 4.370 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
- Plus verzending 67.060 stuk(s) vanaf 06 januari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks | Per stuk | Per verpakking* |
|---|---|---|
| 10 + | € 0,447 | € 4,47 |
*prijsindicatie
- RS-stocknr.:
- 708-2462
- Fabrikantnummer:
- ZXMP6A17GTA
- Fabrikant:
- DiodesZetex
Specificaties
Datasheets
Wetgeving en compliance
Productomschrijving
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren | Attribuut | Waarde |
|---|---|---|
| Merk | DiodesZetex | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 4.3A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | SOT-223 | |
| Series | ZXMP6A17G | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 190mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 17.7nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 3.9W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | -0.95V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 6.7mm | |
| Height | 1.8mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 3.7 mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q104, AEC-Q100 | |
| Alles selecteren | ||
|---|---|---|
Merk DiodesZetex | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 4.3A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type SOT-223 | ||
Series ZXMP6A17G | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 190mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 17.7nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 3.9W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf -0.95V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 6.7mm | ||
Height 1.8mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 3.7 mm | ||
Automotive Standard AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q104, AEC-Q100 | ||
P-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Gerelateerde Links
- Diodes Inc P-Channel MOSFET 60 V, 3-Pin SOT-223 ZXMP6A17GTA
- Diodes Inc P-Channel MOSFET 60 V, 3-Pin SOT-223 ZVP2106GTA
- Diodes Inc P-Channel MOSFET 60 V, 3-Pin SOT-223 DMP6023LE-13
- Diodes Inc P-Channel MOSFET 20 V, 3-Pin SOT-23 DMP2045U-7
- Diodes Inc P-Channel MOSFET 70 V, 3-Pin SOT-223 ZXMP7A17GTA
- Diodes Inc P-Channel MOSFET 240 V, 3-Pin SOT-223 ZVP4424GTA
- Diodes Inc P-Channel MOSFET 30 V, 3-Pin SOT-223 ZXMP3A16GTA
- Diodes Inc P-Channel MOSFET 100 V, 3-Pin SOT-223 ZVP2110GTA
