IXYS HiperFET, Polar Type N-Channel MOSFET, 26 A, 1200 V Enhancement, 3-Pin TO-264 IXFK26N120P

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal 13 eenheden (geleverd in een buis)*

€ 462,67

(excl. BTW)

€ 559,78

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 410 stuk(s) vanaf 16 februari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
13 +€ 35,59

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
711-5360P
Fabrikantnummer:
IXFK26N120P
Fabrikant:
IXYS
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

IXYS

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

26A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Package Type

TO-264

Series

HiperFET, Polar

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

460mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.5V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Power Dissipation Pd

960W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

225nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

5.13 mm

Height

26.16mm

Length

19.96mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series


N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Gerelateerde Links