Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET, 180 A, 120 V Enhancement, 7-Pin TO-263 IPB036N12N3GATMA1

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 4,34

(excl. BTW)

€ 5,25

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 955 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 +€ 4,34

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
754-5428
Fabrikantnummer:
IPB036N12N3GATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

180A

Maximum Drain Source Voltage Vds

120V

Series

OptiMOS 3

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.6mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

158nC

Maximum Power Dissipation Pd

300W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

9.45 mm

Standards/Approvals

No

Length

10.31mm

Height

4.57mm

Automotive Standard

No

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over


MOSFET Transistors, Infineon


Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Gerelateerde Links