Nexperia BSS138PW Type N-Channel MOSFET, 320 mA, 60 V Enhancement, 3-Pin SC-70 BSS138PW,115
- RS-stocknr.:
- 792-0904
- Fabrikantnummer:
- BSS138PW,115
- Fabrikant:
- Nexperia
Bulkkorting beschikbaar
Subtotaal (1 rol van 100 eenheden)*
€ 6,00
(excl. BTW)
€ 7,00
(incl. BTW)
GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 75,00
Op voorraad
- Plus verzending 300 stuk(s) vanaf 29 december 2025
- Plus verzending 3.000 stuk(s) vanaf 20 mei 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks | Per stuk | Per rol* |
|---|---|---|
| 100 - 100 | € 0,06 | € 6,00 |
| 200 - 400 | € 0,051 | € 5,10 |
| 500 - 900 | € 0,046 | € 4,60 |
| 1000 - 1900 | € 0,025 | € 2,50 |
| 2000 + | € 0,024 | € 2,40 |
*prijsindicatie
- RS-stocknr.:
- 792-0904
- Fabrikantnummer:
- BSS138PW,115
- Fabrikant:
- Nexperia
Specificaties
Datasheets
Wetgeving en compliance
Productomschrijving
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren | Attribuut | Waarde |
|---|---|---|
| Merk | Nexperia | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 320mA | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | BSS138PW | |
| Package Type | SC-70 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.6Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 310mW | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 0.72nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 1mm | |
| Width | 1.35 mm | |
| Length | 2.2mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Alles selecteren | ||
|---|---|---|
Merk Nexperia | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 320mA | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series BSS138PW | ||
Package Type SC-70 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.6Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 310mW | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 0.72nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 1mm | ||
Width 1.35 mm | ||
Length 2.2mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||