Nexperia Type N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263 PSMN4R6-60BS,118
- RS-stocknr.:
- 798-2987
- Fabrikantnummer:
- PSMN4R6-60BS,118
- Fabrikant:
- Nexperia
Bulkkorting beschikbaar
Subtotaal (1 verpakking van 4 eenheden)*
€ 5,912
(excl. BTW)
€ 7,152
(incl. BTW)
GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 75,00
Op voorraad
- 468 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks | Per stuk | Per verpakking* |
|---|---|---|
| 4 - 16 | € 1,478 | € 5,91 |
| 20 - 76 | € 1,298 | € 5,19 |
| 80 - 196 | € 1,14 | € 4,56 |
| 200 - 396 | € 1,063 | € 4,25 |
| 400 + | € 1,003 | € 4,01 |
*prijsindicatie
- RS-stocknr.:
- 798-2987
- Fabrikantnummer:
- PSMN4R6-60BS,118
- Fabrikant:
- Nexperia
Specificaties
Datasheets
Wetgeving en compliance
Productomschrijving
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren | Attribuut | Waarde |
|---|---|---|
| Merk | Nexperia | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 100A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 7mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 211W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 70.8nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 11 mm | |
| Length | 10.3mm | |
| Height | 4.5mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Alles selecteren | ||
|---|---|---|
Merk Nexperia | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 100A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 7mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 211W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 70.8nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 11 mm | ||
Length 10.3mm | ||
Height 4.5mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
- Land van herkomst:
- PH
N-Channel MOSFET, 60V to 80V, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Gerelateerde Links
- Nexperia N-Channel MOSFET 60 V118
- Nexperia N-Channel MOSFET 60 V118
- Nexperia N-Channel MOSFET 40 V118
- Nexperia N-Channel MOSFET 30 V118
- Nexperia N-Channel MOSFET 40 V118
- Nexperia PSMN3R4-30BLE N-Channel MOSFET 30 V118
- Infineon N-Channel MOSFET 60 V D2PAK IPB80N06S4L07ATMA2
- STMicroelectronics STripFET II N-Channel MOSFET 60 V, 3-Pin D2PAK STB60NF06LT4
