DiodesZetex BSN20 Type N-Channel MOSFET, 500 mA, 50 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSN20-7
- RS-stocknr.:
- 822-2179
- Fabrikantnummer:
- BSN20-7
- Fabrikant:
- DiodesZetex
Bulkkorting beschikbaar
Subtotaal (1 verpakking van 100 eenheden)*
€ 11,30
(excl. BTW)
€ 13,70
(incl. BTW)
GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 75,00
Op voorraad
- 700 stuk(s) klaar voor verzending
- 4.700 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
- Plus verzending 31.100 stuk(s) vanaf 09 januari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks | Per stuk | Per verpakking* |
|---|---|---|
| 100 - 500 | € 0,113 | € 11,30 |
| 600 - 1400 | € 0,099 | € 9,90 |
| 1500 + | € 0,08 | € 8,00 |
*prijsindicatie
- RS-stocknr.:
- 822-2179
- Fabrikantnummer:
- BSN20-7
- Fabrikant:
- DiodesZetex
Specificaties
Datasheets
Wetgeving en compliance
Productomschrijving
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren | Attribuut | Waarde |
|---|---|---|
| Merk | DiodesZetex | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 500mA | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 50V | |
| Series | BSN20 | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 0.8nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | -1.2V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 920mW | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 1.4 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 1mm | |
| Length | 3mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Alles selecteren | ||
|---|---|---|
Merk DiodesZetex | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 500mA | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 50V | ||
Series BSN20 | ||
Package Type SOT-23 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 0.8nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf -1.2V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 920mW | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 1.4 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 1mm | ||
Length 3mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
N-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Gerelateerde Links
- Diodes Inc N-Channel MOSFET 50 V, 3-Pin SOT-23 BSN20-7
- Diodes Inc N-Channel MOSFET 50 V, 3-Pin SOT-23 DMN53D0L-7
- Diodes Inc N-Channel MOSFET 30 V, 3-Pin SOT-23 DMN31D5L-7
- Diodes Inc N-Channel MOSFET 60 V, 3-Pin SOT-23 MMBF170-7-F
- Diodes Inc P-Channel MOSFET 30 V SOT-23 DMP31D7LQ-7
- Diodes Inc N-Channel MOSFET 50 V, 3-Pin SOT-23 DMN5L06K-7
- Diodes Inc N-Channel MOSFET 50 V, 3-Pin SOT-23 DMN53D0U-7
- Diodes Inc DDTD113ZC-7-F NPN Digital Transistor 3-Pin SOT-23
