DiodesZetex DMG2302U Type N-Channel MOSFET, 4.2 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 DMG2302U-7
- RS-stocknr.:
- 822-2520
- Fabrikantnummer:
- DMG2302U-7
- Fabrikant:
- DiodesZetex
Bulkkorting beschikbaar
Subtotaal (1 verpakking van 25 eenheden)*
€ 5,85
(excl. BTW)
€ 7,075
(incl. BTW)
GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 75,00
Op voorraad
- 350 stuk(s) klaar voor verzending
- 225 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
- Plus verzending 50 stuk(s) vanaf 06 januari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks | Per stuk | Per verpakking* |
|---|---|---|
| 25 - 125 | € 0,234 | € 5,85 |
| 150 - 725 | € 0,128 | € 3,20 |
| 750 - 1475 | € 0,122 | € 3,05 |
| 1500 + | € 0,102 | € 2,55 |
*prijsindicatie
- RS-stocknr.:
- 822-2520
- Fabrikantnummer:
- DMG2302U-7
- Fabrikant:
- DiodesZetex
Specificaties
Datasheets
Wetgeving en compliance
Productomschrijving
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren | Attribuut | Waarde |
|---|---|---|
| Merk | DiodesZetex | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 4.2A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Series | DMG2302U | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 120mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 7nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 800mW | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 8 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 3mm | |
| Height | 1mm | |
| Width | 1.4 mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Alles selecteren | ||
|---|---|---|
Merk DiodesZetex | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 4.2A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Series DMG2302U | ||
Package Type SOT-23 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 120mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 7nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 800mW | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 8 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 3mm | ||
Height 1mm | ||
Width 1.4 mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Gerelateerde Links
- Diodes Inc N-Channel MOSFET 20 V, 3-Pin SOT-23 DMG2302U-7
- Diodes Inc N-Channel MOSFET 20 V, 3-Pin SOT-23 DMN2075U-7
- Diodes Inc N-Channel MOSFET 20 V, 3-Pin SOT-23 DMG3414U-7
- Diodes Inc P-Channel MOSFET 20 V, 3-Pin SOT-23 DMP2305U-7
- Diodes Inc N-Channel MOSFET 20 V SOT-23 DMN2055UQ-7
- Diodes Inc N-Channel MOSFET 60 V, 3-Pin SOT-23 DMN6075S-7
- Diodes Inc N-Channel MOSFET 30 V, 3-Pin SOT-23 DMN3051L-7
- Diodes Inc N-Channel MOSFET 20 V, 3-Pin SOT-23 DMN2005K-7
