Wolfspeed Type N-Channel MOSFET, 19 A, 1200 V Enhancement, 3-Pin TO-247 C2M0160120D

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 12,06

(excl. BTW)

€ 14,59

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Laatste voorraad RS
  • 1 resterend, klaar voor verzending
  • 105 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
  • Laatste verzending 200 stuk(s) vanaf 02 januari 2026
Aantal stuks
Per stuk
1 - 4€ 12,06
5 - 9€ 11,39
10 - 29€ 11,08
30 - 59€ 10,80
60 +€ 10,54

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
904-7348
Fabrikantnummer:
C2M0160120D
Fabrikant:
Wolfspeed
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Wolfspeed

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

19A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

196mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

3.9V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

34nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

125W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

16.13mm

Standards/Approvals

No

Height

21.1mm

Width

5.21 mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN

Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFETs


Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ & C3M™ Silicon Carbide Power MOSFETs. A range of second generation SiC MOSFETs from Cree's power division Wolfspeed which deliver industry-leading power density and switching efficiency. These low-capacitance devices allow higher switching frequencies and have reduced cooling requirements improving overall system operating efficiency.

• Enhancement-mode N-channel SiC technology

• High Drain-Source breakdown voltages - up to 1200V

• Multiple devices are easy to parallel and simple to drive

• High speed switching with low on-resistance

• Latch-up resistant operation

MOSFET Transistors, Wolfspeed


Gerelateerde Links