Infineon 4 V 110 mA Diode Schottky 2-Pin SOD-323 BAT1503WE6327HTSA1

Afbeelding representeert productcategorie

Bekijk deze categorie
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 20 eenheden)*

€ 6,46

(excl. BTW)

€ 7,82

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Beperkte voorraad
  • 220 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
20 - 20€ 0,323€ 6,46
40 - 80€ 0,29€ 5,80
100 - 220€ 0,261€ 5,22
240 - 480€ 0,235€ 4,70
500 +€ 0,211€ 4,22

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
261-3915
Fabrikantnummer:
BAT1503WE6327HTSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

Diode

Mount Type

Surface

Package Type

SOD-323

Maximum Continuous Forward Current If

110mA

Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm

4V

Diode Configuration

Single

Series

BAT15-03W

Rectifier Type

Schottky

Pin Count

2

Minimum Operating Temperature

-55°C

Peak Reverse Current Ir

5μA

Maximum Forward Voltage Vf

0.32V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

JEDEC47/20/22

Height

0.9mm

Length

2.5mm

Automotive Standard

No

The Infineon RF Schottky diode is a silicon low barrier N-type device with an integrated guard ring on-chip for over-voltage protection. Its low barrier height, low forward voltage and low junction capacitance make a suitable choice for mixer and detector functions in applications which frequencies are as high as 12 GHz.

RoHS compliant and halogen-free

Low capacitance and inductance

Gerelateerde Links