Fabrikantnummer

onsemi MJD210G Transistor, -5 A PNP, -25 V, 4-Pin DPAK

RS-stocknr.:: 184-4310
Fabrikantnummer:: MJD210G
Fabrikant:: onsemi

onsemi MJD210G Transistor, -5 A PNP, -25 V, 4-Pin DPAK

Subtotaal (1 tube van 75 eenheden)*

€ 26,175

(excl. BTW)

€ 31,65

(incl. BTW)

GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 90,00

Op voorraad

825 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie

Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks	Per stuk	Per tube*
75 +	€ 0,349	€ 26,18

*prijsindicatie

RS-stocknr.:: 184-4310
Fabrikantnummer:: MJD210G
Fabrikant:: onsemi

Specificaties

Datasheets

Wetgeving en compliance

Productomschrijving

Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.

Alles selecteren	Attribuut	Waarde
	Merk	onsemi
	Product Type	Transistor
	Maximum DC Collector Current Idc	-5A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	-25V
	Package Type	TO-252
	Mount Type	Surface
	Transistor Configuration	Single
	Maximum Collector Base Voltage VCBO	40V dc
	Maximum Emitter Base Voltage VEBO	8V dc
	Minimum Operating Temperature	-65°C
	Maximum Transition Frequency ft	10MHz
	Maximum Power Dissipation Pd	12.5W
	Transistor Polarity	PNP
	Minimum DC Current Gain hFE	10
	Pin Count	4
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	6.73mm
	Standards/Approvals	No
	Series	MJD210
	Height	2.38mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	Alles selecteren
	Merk onsemi
	Product Type Transistor
	Maximum DC Collector Current Idc -5A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo -25V
	Package Type TO-252
	Mount Type Surface
	Transistor Configuration Single
	Maximum Collector Base Voltage VCBO 40V dc
	Maximum Emitter Base Voltage VEBO 8V dc
	Minimum Operating Temperature -65°C
	Maximum Transition Frequency ft 10MHz
	Maximum Power Dissipation Pd 12.5W
	Transistor Polarity PNP
	Minimum DC Current Gain hFE 10
	Pin Count 4
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 6.73mm
	Standards/Approvals No
	Series MJD210
	Height 2.38mm
	Automotive Standard AEC-Q101

Land van herkomst:: VN

The Bipolar Power Transistor is designed for low voltage, low power, high gain audio amplifier applications. The MJD200 (NPN) and MJD210 (PNP) are complementary devices.

Collector-Emitter Sustaining Voltage - VCEO(sus) = 25 Vdc (Min) @ IC = 10 mAdc

High DC Current Gain - hFE = 70 (Min) @ IC = 500 mAdc= 45 (Min) @ IC = 2 Adc= 10 (Min) @ IC = 5 Adc

Low Collector-Emitter Saturation Voltage - VCE(sat) = 0.30 Vdc (Max) @ IC = 500 mAdc = 0.75 Vdc (Max) @ IC = 2.0 Adc

High Current-Gain - Bandwidth Product - fT = 65 MHz (Min) @ IC = 100 mAdc

Annular Construction for Low Leakage - ICBO = 100 nAdc @ Rated VCB

These Devices are Pb-Free

MJD200 is the complementary NPN device

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.