Infineon RF Bipolar Transistor, 150 mA NPN, 20 V, 4-Pin SOT-343

Afbeelding representeert productcategorie

Bekijk alle Bipolar Transistors
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 rol van 3000 eenheden)*

€ 318,00

(excl. BTW)

€ 384,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Informatie over voorraden is momenteel niet toegankelijk - Controleer het later nog eens opnieuw

Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
3000 - 3000€ 0,106€ 318,00
6000 - 12000€ 0,10€ 300,00
15000 +€ 0,096€ 288,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
259-1416
Fabrikantnummer:
BFP196WH6327XTSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

RF Bipolar Transistor

Maximum DC Collector Current Idc

150mA

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

20V

Package Type

SOT-343

Mount Type

Surface

Transistor Configuration

NPN

Maximum Collector Base Voltage VCBO

20V

Maximum Emitter Base Voltage VEBO

2V

Maximum Transition Frequency ft

7.5GHz

Minimum Operating Temperature

-60°C

Minimum DC Current Gain hFE

70

Transistor Polarity

NPN

Maximum Power Dissipation Pd

700mW

Maximum Operating Temperature

150°C

Pin Count

4

Length

2.1mm

Standards/Approvals

RoHS

Height

0.9mm

Series

BFP196W

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon NPN silicon RF transistor is used for low noise, low distortion broadband amplifiers in antenna and telecommunications systems up to 1.5 GHz at collector currents from 20 mA to 80 mA.

Power amplifier for DECT and PCN systems

Pb-free (RoHS compliant) package

Gerelateerde Links