Infineon RF Bipolar Transistor, 40 mA NPN, 4.5 V, 4-Pin SOT-343

Afbeelding representeert productcategorie

Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 25 eenheden)*

€ 12,05

(excl. BTW)

€ 14,575

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 2.725 stuk(s) vanaf 04 mei 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
25 - 25€ 0,482€ 12,05
50 - 75€ 0,473€ 11,83
100 - 225€ 0,441€ 11,03
250 - 975€ 0,407€ 10,18
1000 +€ 0,399€ 9,98

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
273-7298
Fabrikantnummer:
BFP410H6327XTSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

RF Bipolar Transistor

Maximum DC Collector Current Idc

40mA

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

4.5V

Package Type

SOT-343

Mount Type

Surface

Transistor Configuration

NPN

Maximum Collector Base Voltage VCBO

13V

Minimum DC Current Gain hFE

60

Maximum Emitter Base Voltage VEBO

1.5V

Maximum Transition Frequency ft

25GHz

Transistor Polarity

NPN

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

150mW

Maximum Operating Temperature

150°C

Pin Count

4

Standards/Approvals

JEDEC47/20/22

Series

BFP

Automotive Standard

No

The Infineon NPN RF bipolar transistor is a low noise device based on a grounded emitter that is part of Infineon established fourth generation RF bipolar transistor family. Its transition frequency fT of 25 GHz and low current characteristics make the device suitable for high frequency oscillators. It remains cost competitive without compromising on ease of use.

High gain

Minimum noise figure

Suitable for broadband low noise amplifiers

LNAs for sub 1 GHz ISM band applications

Gerelateerde Links