onsemi MJD112T4G NPN Darlington Transistor, 4 A 100 V HFE:200, 3-Pin DPAK

RS-stocknr.:: 125-0070
Fabrikantnummer:: MJD112T4G
Fabrikant:: onsemi

onsemi MJD112T4G NPN Darlington Transistor, 4 A 100 V HFE:200, 3-Pin DPAK

Prijs Elk (op een haspel van 2500)

€ 0,27

(excl. BTW)

€ 0,33

(incl. BTW)

2520 op voorraad - levertijd is 1 werkdag(en).*

* Bezorgdata kunnen veranderen afhankelijk van de gekozen hoeveelheid en het bezorgadres.

Aantal stuks	Per stuk	Per reel**
2500 +	€ 0,27	€ 675,00

**prijsindicatie

RS-stocknr.:: 125-0070
Fabrikantnummer:: MJD112T4G
Fabrikant:: onsemi

MJD112 (NPN), MJD117 (PNP), Complementary Darlington Power Transistors
ESD Control Selection Guide V1

Kenmerk	Waarde
Transistor Type	NPN
Maximum Continuous Collector Current	4 A
Maximum Collector Emitter Voltage	100 V
Maximum Emitter Base Voltage	5 V
Package Type	DPAK (TO-252)
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Number of Elements per Chip	1
Minimum DC Current Gain	200
Maximum Base Emitter Saturation Voltage	4 V
Maximum Collector Base Voltage	100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage	3 V
Maximum Collector Cut-off Current	0.02mA
Height	2.38mm
Width	6.22mm
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Length	6.73mm
Dimensions	6.73 x 6.22 x 2.38mm
Minimum Operating Temperature	-65 °C

onsemi MJD112T4G NPN Darlington Transistor, 4 A 100 V HFE:200, 3-Pin DPAK

NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor

Standards

Gerelateerde Links