onsemi MJD112G NPN Darlington Transistor, 2 A 100 V HFE:1000, 3-Pin DPAK

RS-stocknr.:: 790-5319
Fabrikantnummer:: MJD112G
Fabrikant:: onsemi

onsemi MJD112G NPN Darlington Transistor, 2 A 100 V HFE:1000, 3-Pin DPAK

Bulkkorting beschikbaar

Prijs Elk (in een pakket van 15)

€ 0,562

(excl. BTW)

€ 0,68

(incl. BTW)

120 op voorraad - levertijd is 1 werkdag(en) (EU-voorraad)*

120 op voorraad - levertijd is 3 à 5 werkdagen (UK-voorraad)

* Bezorgdata kunnen veranderen afhankelijk van de gekozen hoeveelheid en het bezorgadres.

Aantal stuks	Per stuk	Per pak**
15 - 90	€ 0,562	€ 8,43
105 - 495	€ 0,417	€ 6,255
510 - 990	€ 0,325	€ 4,875
1005 - 2490	€ 0,265	€ 3,975
2505 +	€ 0,247	€ 3,705

**prijsindicatie

RS-stocknr.:: 790-5319
Fabrikantnummer:: MJD112G
Fabrikant:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Kenmerk	Waarde
Transistor Type	NPN
Maximum Continuous Collector Current	2 A
Maximum Collector Emitter Voltage	100 V
Maximum Emitter Base Voltage	5 V
Package Type	DPAK (TO-252)
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Number of Elements per Chip	1
Minimum DC Current Gain	1000
Maximum Base Emitter Saturation Voltage	4 V
Maximum Collector Base Voltage	100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage	3 V
Maximum Collector Cut-off Current	20µA
Height	2.38mm
Dimensions	6.73 x 6.22 x 2.38mm
Length	6.73mm
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-65 °C
Maximum Power Dissipation	20 W
Width	6.22mm

onsemi MJD112G NPN Darlington Transistor, 2 A 100 V HFE:1000, 3-Pin DPAK

NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor

Standards

Gerelateerde Links