Infineon FS1150R08A8P3LMCHPSA1, Type N-Channel Half Bridge IGBT, 600 A 750 V, Screw

Bekijk alle IGBTs

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 760,78

(excl. BTW)

€ 920,54

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 21 september 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 +€ 760,78

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
349-029
Fabrikantnummer:
FS1150R08A8P3LMCHPSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Maximum Continuous Collector Current Ic

600A

Product Type

IGBT

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

750V

Maximum Power Dissipation Pd

1kW

Number of Transistors

6

Configuration

Half Bridge

Mount Type

Screw

Channel Type

Type N

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.22V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Maximum Operating Temperature

185°C

Standards/Approvals

RoHS, UL 94 V0

Automotive Standard

AQG 324

Land van herkomst:
DE
The Infineon HybridPACK Drive G2 module is a very compact six pack power module with enhanced package optimized for hybrid and electric vehicles. The power module implements Infineon’s next generation chip technology EDT3 750V, optimized for electric drive train applications, from mid to high range automotive power classes.

Low inductive design

4.2 kV DC 1 second insulation

High creepage and clearance distances

Direct cooled PinFin base plate

PCB and cooler assembly guidelines

PressFIT contact technology

Gerelateerde Links