Microchip APT25GP120BSC15, N channel-Channel Discrete IGBT, 69 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
- RS-stocknr.:
- 838-597
- Fabrikantnummer:
- APT25GP120BSC15
- Fabrikant:
- Microchip
Bulkkorting beschikbaar
Bekijk bulkkortingSubtotaal (1 eenheid)*
€ 17,83
(excl. BTW)
€ 21,57
(incl. BTW)
GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 90,00
Nieuw product (vandaag reserveren)
- Verzending vanaf 30 december 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks | Per stuk |
|---|---|
| 1 - 4 | € 17,83 |
| 5 + | € 17,29 |
*prijsindicatie
- RS-stocknr.:
- 838-597
- Fabrikantnummer:
- APT25GP120BSC15
- Fabrikant:
- Microchip
Specificaties
Datasheets
Wetgeving en compliance
Productomschrijving
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren | Attribuut | Waarde |
|---|---|---|
| Merk | Microchip | |
| Product Type | Discrete IGBT | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 69A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 1200V | |
| Number of Transistors | 1 | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 417W | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Channel Type | N channel | |
| Pin Count | 3 | |
| Height | 5.31mm | |
| Standards/Approvals | JEDC | |
| Width | 16.26mm | |
| Length | 41.78mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Alles selecteren | ||
|---|---|---|
Merk Microchip | ||
Product Type Discrete IGBT | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 69A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V | ||
Number of Transistors 1 | ||
Maximum Power Dissipation Pd 417W | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Channel Type N channel | ||
Pin Count 3 | ||
Height 5.31mm | ||
Standards/Approvals JEDC | ||
Width 16.26mm | ||
Length 41.78mm | ||
Automotive Standard No | ||
- Land van herkomst:
- PH
The Microchip Punch Through IGBT integrates a high-performance 1200 V 25 A Power MOS 7 transistor with a Silicon Carbide Schottky anti-parallel diode.
Maximum 1200 V collector-emitter voltage rating
Advanced Power MOS 7 punch-through technology
Integrated SiC Schottky anti-parallel diode