onsemi, Type N-Channel IGBT-Field Stop II, 70 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

Bekijk alle IGBTs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 tube van 30 eenheden)*

€ 107,52

(excl. BTW)

€ 130,11

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Bestellingen onder € 75,00 (excl. BTW) € 5,95.
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 21 mei 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per tube*
30 - 90€ 3,584€ 107,52
120 - 240€ 2,857€ 85,71
270 - 480€ 2,706€ 81,18
510 - 990€ 2,56€ 76,80
1020 +€ 2,264€ 67,92

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
163-0258
Fabrikantnummer:
NGTB35N65FL2WG
Fabrikant:
onsemi
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

onsemi

Product Type

IGBT-Field Stop II

Maximum Continuous Collector Current Ic

70A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Maximum Power Dissipation Pd

300W

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Switching Speed

1MHz

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.7V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

16.25 mm

Length

20.8mm

Height

5.3mm

Standards/Approvals

RoHS

Series

Field Stop

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN

IGBT Discretes, ON Semiconductor


Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT) for motor drive and other high current switching applications.

IGBT Discretes, ON Semiconductor


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Gerelateerde Links