onsemi NGTB35N65FL2WG, Type N-Channel IGBT-Field Stop II, 70 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

Bekijk alle IGBTs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 9,59

(excl. BTW)

€ 11,604

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending 22 stuk(s) vanaf 23 maart 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 18€ 4,795€ 9,59
20 +€ 4,13€ 8,26

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
842-7898
Fabrikantnummer:
NGTB35N65FL2WG
Fabrikant:
onsemi
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

onsemi

Product Type

IGBT-Field Stop II

Maximum Continuous Collector Current Ic

70A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Maximum Power Dissipation Pd

300W

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Switching Speed

1MHz

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.7V

Maximum Operating Temperature

175°C

Series

Field Stop

Standards/Approvals

RoHS

Length

20.8mm

Height

5.3mm

Width

16.25 mm

Automotive Standard

No

IGBT Discretes, ON Semiconductor


Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT) for motor drive and other high current switching applications.

IGBT Discretes, ON Semiconductor


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Gerelateerde Links