STMicroelectronics STGP5H60DF IGBT, 10 A 600 V, 3-Pin TO-220, Through Hole

Bekijk alle IGBTs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 tube van 50 eenheden)*

€ 40,90

(excl. BTW)

€ 49,50

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 50 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per tube*
50 - 50€ 0,818€ 40,90
100 - 200€ 0,778€ 38,90
250 - 450€ 0,737€ 36,85
500 - 700€ 0,696€ 34,80
750 +€ 0,655€ 32,75

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
168-8940
Fabrikantnummer:
STGP5H60DF
Fabrikant:
STMicroelectronics
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

STMicroelectronics

Maximum Continuous Collector Current

10 A

Maximum Collector Emitter Voltage

600 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

88 W

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

3

Transistor Configuration

Single

Dimensions

10.4 x 4.6 x 15.75mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Gate Capacitance

855pF

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Energy Rating

221mJ

Land van herkomst:
CN

IGBT Discretes, STMicroelectronics



IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Gerelateerde Links