STMicroelectronics STGP5H60DF IGBT, 10 A 600 V, 3-Pin TO-220, Through Hole

Bekijk alle IGBTs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 8,18

(excl. BTW)

€ 9,90

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 100 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
  • Plus verzending 90 stuk(s) vanaf 08 januari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 - 40€ 0,818€ 8,18
50 - 90€ 0,796€ 7,96
100 - 240€ 0,776€ 7,76
250 - 490€ 0,756€ 7,56
500 +€ 0,736€ 7,36

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
906-2808
Fabrikantnummer:
STGP5H60DF
Fabrikant:
STMicroelectronics
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

STMicroelectronics

Maximum Continuous Collector Current

10 A

Maximum Collector Emitter Voltage

600 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

88 W

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

3

Transistor Configuration

Single

Dimensions

10.4 x 4.6 x 15.75mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Energy Rating

221mJ

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Gate Capacitance

855pF

Land van herkomst:
CN

IGBT Discretes, STMicroelectronics



IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Gerelateerde Links