onsemi FGH60T65SQD-F155, Type P-Channel IGBT, 60 A 650 V, 3-Pin TO-247 G03, Through Hole

Bekijk alle IGBTs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 9,55

(excl. BTW)

€ 11,556

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 418 stuk(s) vanaf 16 maart 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 18€ 4,775€ 9,55
20 +€ 4,12€ 8,24

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
178-4627
Fabrikantnummer:
FGH60T65SQD-F155
Fabrikant:
onsemi
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

onsemi

Maximum Continuous Collector Current Ic

60A

Product Type

IGBT

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Maximum Power Dissipation Pd

333W

Package Type

TO-247 G03

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type P

Pin Count

3

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.6V

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±30 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Series

Field Stop 4th Generation

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Energy Rating

50mJ

Land van herkomst:
CN
Using novel field stop IGBT technology, ON semiconductor’s new series of field stop 4th generation IGBTs offer the optimum performance for solar inverter, UPS, welder, telecom, ESS and PFC applications where low conduction and switching losses are essential.

Maximum Junction Temperature: TJ =175°C

Positive Temperature Co-efficient for Easy Parallel Operating

High Current Capability

Low Saturation Voltage: VCE(sat) =1.6 V(Typ.) @ IC = 60 A

High Input Impedance

Fast Switching

Tighten Parameter Distribution

Applications

Solar Inverter, UPS, Welder, Telecom, ESS, PFC

Gerelateerde Links