Infineon IGB50N60TATMA1, Type N-Channel IGBT Single Transistor IC, 90 A 600 V, 3-Pin TO-263, Surface
- RS-stocknr.:
- 215-6630
- Fabrikantnummer:
- IGB50N60TATMA1
- Fabrikant:
- Infineon
Bulkkorting beschikbaar
Bekijk bulkkortingSubtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*
€ 7,58
(excl. BTW)
€ 9,18
(incl. BTW)
GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 90,00
Op voorraad
- Plus verzending 3.852 stuk(s) vanaf 03 juni 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks | Per stuk | Per verpakking* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | € 3,79 | € 7,58 |
| 10 - 98 | € 3,475 | € 6,95 |
| 100 - 248 | € 3,21 | € 6,42 |
| 250 - 498 | € 2,99 | € 5,98 |
| 500 + | € 2,89 | € 5,78 |
*prijsindicatie
- RS-stocknr.:
- 215-6630
- Fabrikantnummer:
- IGB50N60TATMA1
- Fabrikant:
- Infineon
Specificaties
Datasheets
Wetgeving en compliance
Productomschrijving
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren | Attribuut | Waarde |
|---|---|---|
| Merk | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 90A | |
| Product Type | IGBT Single Transistor IC | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 600V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 333W | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 3 | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.5V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS, JEDEC1 | |
| Series | TRENCHSTOPTM | |
| Automotive Standard | No | |
| Alles selecteren | ||
|---|---|---|
Merk Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 90A | ||
Product Type IGBT Single Transistor IC | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 600V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 333W | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.5V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS, JEDEC1 | ||
Series TRENCHSTOPTM | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon low loss insulated-gate bipolar transistor in trenchstop and fieldstop technology.
High Efficiency
Low Switching Losses
Increased Reliability
Low Electromagnetic Interference