Infineon, Type N-Channel Reverse Conducting IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

Bekijk alle IGBTs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 tube van 30 eenheden)*

€ 62,64

(excl. BTW)

€ 75,78

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 04 augustus 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per tube*
30 - 30€ 2,088€ 62,64
60 - 120€ 1,984€ 59,52
150 - 270€ 1,90€ 57,00
300 - 570€ 1,817€ 54,51
600 +€ 1,691€ 50,73

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
215-6645
Fabrikantnummer:
IHW50N65R5XKSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

Reverse Conducting IGBT

Maximum Continuous Collector Current Ic

80A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Maximum Power Dissipation Pd

282W

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.35V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

Pb-free lead plating, RoHS, JESD-022

Series

Resonant Switching

Automotive Standard

No

The Infineon reverse conducting insulated-gate bipolar transistor with monolithic body diode.

High Efficiency

Low Switching Losses

Increased Reliability

Low Electromagnetic Interference

Gerelateerde Links